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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
77
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
2497
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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