SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 77
    Около -114% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 1,884.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,936.9 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,884.0 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    564 left arrow 2497
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения