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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
77
周辺 -114% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
1,884.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
36
読み出し速度、GB/s
2,936.9
15.8
書き込み速度、GB/秒
1,884.0
11.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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