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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparez
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2901
2427
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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