RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
11.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2901
2427
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link