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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1668
4060
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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