RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
10.9
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1668
4060
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link