RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
4060
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link