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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Comparez
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Note globale
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.2
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3233
3156
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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