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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
比較する
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
総合得点
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
総合得点
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
17
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
13.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
23
23
読み出し速度、GB/s
17.3
17.0
書き込み速度、GB/秒
13.2
14.7
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3233
3156
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RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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