Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.3 left arrow 17
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 17000
    Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    23 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.3 left arrow 17.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    13.2 left arrow 14.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3233 left arrow 3156
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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