RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
69
Autour de -245% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3410
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Mushkin 996902 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link