RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
69
Wokół strony -245% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3410
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link