RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
69
En -245% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3410
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link