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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
1,903.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
65
Autour de -5% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
65
62
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
4,662.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
1,903.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
839
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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