RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
45
Autour de 18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
45
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2190
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link