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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
56
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
56
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
2455
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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