Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Note globale
star star star star star
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Note globale
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 33
    Autour de 27% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.9 left arrow 14.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.2 left arrow 10.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 19200
    Autour de 1.11 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    24 left arrow 33
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.9 left arrow 16.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.6 left arrow 13.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2196 left arrow 3134
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons