RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3134
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link