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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
33
读取速度,GB/s
14.9
16.9
写入速度,GB/s
10.6
13.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3134
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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