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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
12800
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2066
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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