Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 31
    Intorno 3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.3 left arrow 10.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.0 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 11.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.8 left arrow 8.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1479 left arrow 2066
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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