RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparez
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Note globale
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
86
Autour de -146% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
86
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.3
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1469
2336
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link