SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Note globale
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Note globale
star star star star star
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.6 left arrow 13.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    37 left arrow 39
    Autour de -5% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    39 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.6 left arrow 13.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.8 left arrow 8.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1940 left arrow 2143
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons