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Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Confronto
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
29
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
5.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
19
29
Velocità di lettura, GB/s
17.7
5.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.7
3.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
8500
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2690
609
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
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