Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB против Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB

Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    19 left arrow 29
    Около 34% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 5.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.7 left arrow 3.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 8500
    Около 1.25% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    19 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.7 left arrow 5.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.7 left arrow 3.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 8500
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2690 left arrow 609
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения