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Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
比较
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
5.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
19
29
读取速度,GB/s
17.7
5.7
写入速度,GB/s
11.7
3.0
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
2690
609
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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