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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
60
Intorno -82% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
33
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3285
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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