RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
60
Около -82% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3285
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link