RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3285
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link