RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
14.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
13.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2717
2283
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link