RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2283
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL10-8GBXL 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-138.A00LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link