RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2283
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link