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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
30
周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
30
読み出し速度、GB/s
16.1
10.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
8.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2234
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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