RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2234
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link