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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
総合得点
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
45
周辺 -22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
12
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
37
読み出し速度、GB/s
12.0
15.4
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3075
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
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