RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
45
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3075
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link