Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Pontuação geral
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    37 left arrow 45
    Por volta de -22% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.4 left arrow 12
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 7.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    45 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.0 left arrow 15.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.8 left arrow 12.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1939 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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