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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
総合得点
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
45
48
周辺 6% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
12
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
48
読み出し速度、GB/s
12.0
17.5
書き込み速度、GB/秒
7.8
8.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2196
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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