RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2196
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link