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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
48
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
48
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2196
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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