RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2963
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link