RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2839
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link