RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2569
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link