RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2972
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link