RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link