RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
68
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
68
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1812
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link