RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
60
Wokół strony -216% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3110
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link