Porównanie pamięci RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Wynik ogólny

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,622.0 1,569.0

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

66 77

Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

6400 5300

Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

763 472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns