Comparação RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Pontuação geral

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,622.0 1,569.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

66 77

Por volta de -17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

6400 5300

Por volta de 1.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

763 472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns